Drahtbonden, auch als Wire Bonding bekannt, ist ein Schlüsselverfahren in der Halbleiterfertigung. Dabei werden extrem feine Drähte mit Durchmessern von 15 bis 75 Mikrometern (µm) verwendet, um winzige elektrische Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip und anderen Bauteilen herzustellen. Die Abstände zwischen den einzelnen Bond-Drähten liegen oft im Bereich von weniger als 100 Mikrometern (µm) oder sogar im Bereich von 50 µm oder kleiner. Dieser unverzichtbare Schritt legt die Grundlage für die Produktion hochleistungsfähiger Elektronik, die in zahlreichen Anwendungen eingesetzt werden kann.